Solitron 2N4338和2N4339 N沟道JFET

Solitron 2N4338和2N4339 N沟道JFET

发布时间：2025-07-01 09:27:11 浏览：1252

　　Solitron Devices公司的2N4338和2N4339是专为低噪声应用设计的N沟道结型场效应晶体管(JFET)，采用单晶硅工艺制造。这两款器件在工业、军事和航空航天领域有着广泛应用，特别适合需要高可靠性、低噪声和稳定性能的电路设计。

Solitron 2N4338和2N4339 N沟道JFET

参数	2N4338	2N4339	单位	测试条件
漏极饱和电流(IDSS)	0.2-0.6	0.5-1.5	mA	VDS=15V, VGS=0V
栅源截止电压(VGS(OFF))	<1.0	<1.8	V	VDS=15V, ID=50nA
正向跨导(GFS)	1200-2400	1600-3000	μS	VDS=15V, VGS=0V, f=1kHz
输入电容(Ciss)	5-7	5-7	pF	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz
反向传输电容(Crss)	2.5-3.5	2.5-3.5	pF	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

　　关键优势：

　　超低噪声系数(4.2 nV/√Hz典型值)

　　极低截止电压(2N4338<1.0V，2N4339<1.8V)

　　优异的温度稳定性(-55°C至+125°C)

　　高增益和良好的线性度

　　动态特性

　　噪声性能：2N4338在1kHz时噪声系数低至4.2nV/√Hz，非常适合音频前置放大应用

　　频率响应：功率增益带宽积约50MHz(典型值)

　　开关速度：开启延迟时间约10ns(RL=1kΩ, VDD=15V)

　　封装

　　TO-18金属封装：

　　3引脚圆形金属外壳

　　尺寸：φ5.2mm×4.7mm(典型值)

　　重量：0.35g(典型值)

　　符合MIL-STD-750标准

　　SOT-23塑料封装：

　　3引脚表面贴装

　　尺寸：2.9mm×1.6mm×1.0mm

　　适合高密度PCB设计

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询太阳成tyc33455ccwww创展。

上一篇: Recom RPM3.3-2.0,RPM5.0-2.0非隔离开关稳压电源模块

下一篇: MTI 270-0224,270-0501高稳铷原子钟OCXO 4.8-90MHz

在线留言

在线留言