Linear Systems 2N4351 N通道增强型MOSFET

发布时间：2025-03-31 09:11:10     浏览：1315

Linear Systems 2N4351 N通道增强型MOSFET

　　产品名称

　　2N4351 N-通道增强型 MOSFET

　　订购型号：

　　2N4351 TO-72 4L RoHS

　　2N4352 TO-72 4L RoHS

　　2N4351 Die

　　2N4352 Die

　　产品特点

　　直接替代 Intersil 2N4351：兼容 Intersil 的 2N4351 产品。

　　高漏极电流：最大漏极电流(ID)为 20mA。

　　高跨导增益：跨导增益(gfs)为 1000?S。

　　低导通电阻：漏极到源极导通电阻(rds(on))为 300Ω。

　　低漏电流：漏极泄漏电流(IDSS)为 10nA。

　　快速开关特性：

　　开启延迟时间(td(on))：最大 45ns。

　　开启上升时间(tr)：最大 65ns。

　　关闭延迟时间(td(off))：最大 60ns。

　　关闭下降时间(tf)：最大 100ns。

　　绝对最大额定值(25°C 时)

符号特性最小值典型值最大值单位条件
BVDSS漏极到源极击穿电压-25-VID = 10?A, VGS = 0V
VDS(on)漏极到源极导通电压-1-VID = 2mA, VGS = 10V
VGS(th)栅极到源极阈值电压1-5VVDS = 10V, ID = 10?A
IGSS栅极漏电流--±10pAVGS = ±30V, VDS = 0V
IDSS漏极泄漏电流（关闭状态）--10nAVDS = 10V, VGS = 0V
ID(on)漏极电流（导通状态）-3-mAVGS = 10V, VDS = 10V
gfs正向跨导增益-1000-?SVDS = 10V, ID = 2mA, f = 1kHz
rds(on)漏极到源极导通电阻-300-ΩVGS = 10V, ID = 100?A, f = 1kHz
Crss反向传输电容-1.3-pFVDS = 0V, VGS = 0V, f = 140kHz
Ciss输入电容-5-pFVDS = 10V, VGS = 0V, f = 140kHz
Cdb漏极到体极电容-5-pFVDB = 10V, f = 140kHz


　　温度范围：

　　存储温度：-55°C 至 +150°C。

　　工作结温：-55°C 至 +150°C。

　　最大功耗：

　　连续功耗：350mW(环境温度 25°C)。

　　最大电流：

　　漏极到源极电流：20mA。

　　最大电压：

　　漏极到体极电压：25V。

　　漏极到源极电压：25V。

　　栅极到源极电压：±30V。

　　电气特性(25°C 时)

　　封装

　　封装类型：TO-72 4 引脚封装。

　　应用场景

　　2N4351 是一款高性能的 N-通道增强型 MOSFET，适用于以下场景：

　　开关电源：高效率的开关元件。

　　信号处理电路：低导通电阻和快速开关特性使其适合高频信号处理。

　　模拟开关：低漏电流和高跨导增益使其适合高精度模拟电路。

　　保护电路：快速开关特性可用于过流保护和短路保护。

相关推荐：

JFET双通道放大器Linear Systems 

JFET单通道放大器Linear Systems 

太阳成tyc33455ccwww创展优势代理Linear Systems产品，价格优惠，欢迎咨询。


上一篇: SDS ?5P0.1-0.1超小型轻量级PCB安装高压电源

下一篇: Arizona Capacitors：薄膜电容器领域先锋

推荐资讯

  • Vishay 510DX227M050DG2DE3铝电解电容器
    Vishay 510DX227M050DG2DE3铝电解电容器 2025-08-05 08:58:32

    Vishay 510DX系列为高温微型径向铝电解电容器（+125°C工作温度），专为替代钽电容设计，具有低漏电流、长寿命和高稳定性。电容范围1μF–6800μF（±20%），电压6.3V–63V（浪涌耐受如63V型号达79V），支持2/3引脚（直径≥12.5mm可选第三引脚）。紧凑尺寸（直径6.0–18.0mm，长度11.0–36.0mm），适用于汽车电子、工业电源等高温场景，以及高频开关电源（低ESR优势）和高可靠性钽电容替代方案。

  • Q-Tech集成电路带4 点安装 VCXO产品
    Q-Tech集成电路带4 点安装 VCXO产品 2021-11-09 17:02:51

    ?VCXO（压控晶体振荡器）是利用施加外部调节电流电压，使振荡频率可变或可调的应时晶体振荡器。在常见的压控晶体振荡器中，通常利用调谐电流电压调整变容二极管的电容来带动应时晶体振子的工作频率。压控晶体振荡器允许频率调节范围较宽，实际带动范围在±200ppm以上。

在线留言

在线留言