Solitron Devices SMF182 500V N沟道功率MOSFET

发布时间:2024-12-23 09:05:11     浏览:1608

  SMF182是一款500V N-Channel Power MOSFET,专为满足高电压和中等电流的电力转换需求而设计。它具备7A的连续漏极电流和850mΩ的导通电阻,确保了在各种应用中的高效能和低功耗。此外,SMF182还内置了快速恢复二极管,进一步优化了电力转换的效率。

Solitron Devices SMF182 500V N沟道功率MOSFET

  关键特性

  连续漏极电流 (ID):7A

  导通电阻 (RDS(on)):850mΩ

  漏源电压 (VDSmax):500V

  栅源电压 (VGSS):±20V(连续)

  连续漏极电流 (ID25):7A

  脉冲漏极电流 (ID(PULSE)):28A(脉冲宽度Tp受TJmax限制)

  功率耗散 (PD):163W

  结温范围,工作/存储 (TJ/TSTG):-55°C至150°C

  封装:TO-254 密封封装

  电气性能

  SMF182在电气性能上同样出色。它具有1.5V的体二极管正向电压和700ns的反向恢复时间,这些特性使得它在开关应用中表现出色。此外,其栅阈值电压在2至4V之间,确保了稳定的开关性能。

  热管理

  在热管理方面,SMF182的热阻为0.767°C/W,这意味着它能够在高功率耗散下保持较低的工作温度,从而提高了产品的可靠性和寿命。

  应用领域

  SMF182适用于多种电力转换应用,包括但不限于电源转换器、电机驱动器和高功率开关电路。其高电压和中等电流的特性,使其在这些领域中表现出色。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询太阳成tyc33455ccwww创展

推荐资讯

  • Bliley低功耗OCXO恒温晶振
    Bliley低功耗OCXO恒温晶振 2024-01-09 11:43:04

    随着振荡器对具有良好稳定性和低功耗要求的需求不断增长,射频行业的几家公司正在寻求更新的技术来填补这一空白。幸运的是,这些新技术开始出现在整个科技市场。我们谈论的这些新技术就是低功耗OCXO,我们称之为LP OCXO。

  • 1.4-2.2GHz L/S波段射频功率晶体管Ampleon
    1.4-2.2GHz L/S波段射频功率晶体管Ampleon 2024-04-12 09:06:56

    Ampleon?的 1.4-2.2GHz L/S波段射频功率晶体管是一款高性能、高可靠性的功率半导体产品。它在无线通信、雷达、卫星通信等领域具有广泛的应用,能够满足高功率、高效率和高可靠性的要求。

在线留言

在线留言