BBY6502VH6327XTSA1变容二极管Infineon

发布时间:2024-11-26 08:42:11     浏览:574

  BBY65系列是一款高Q超陡峭调谐二极管,具有非常低的电容分散度,专为移动通信设备中电压控制振荡器(VCO)的低调谐电压操作而设计。它们也适用于低频控制元件,如温度补偿晶体振荡器(TCXO)和电压控制晶体振荡器(VCXO)。这些二极管具有高电容比和良好的C-V线性特性,并且采用无铅(符合RoHS标准)封装。

BBY6502VH6327XTSA1变容二极管Infineon

  参数:

  二极管反向电压(VR):15V

  正向电流(IF):50mA

  工作温度范围(Top):-55°C至150°C

  存储温度(Tstg):-55°C至150°C

  反向电流(IR):在10V下为10nA至100nA,在85°C下为100nA。

  二极管电容(CT):在不同反向电压(VR)和1MHz频率下的值。

  0.3V时为28.2至30.8pF

  1V时为2.6至2.8pF

  2V时为20.25至29.5pF

  3V时为9.8至20.25pF

  4.7V时为4.45至9.8pF

  电容比(CT0.3/CT4.7):在0.3V和4.7V下的比值为10至10.9pF。

  电容比(CT1/CT3):在1V和3V下的比值为4.55pF。

  串联电阻(rS):在1V和470MHz频率下为0.6至0.9Ω。

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Infineon英飞凌射频变容二极管和调谐器

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