SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET

发布时间:2024-07-03 09:18:47     浏览:1978

SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET

  Solitron Devices SD11721 1200V SiC N沟道功率MOSFET的主要特点和技术规格如下:

  高阻断电压与低通态电阻:该MOSFET具有高达1200V的阻断电压(Vs = 1200V),并且具有低通态电阻(Ros(on) = 50 mΩ),这意味着在开关状态切换时能够减小功耗,提高效率。

  高速开关与低电容:SD11721适合高速开关应用,并且具有低电容特性,这有助于减少开关过程中的能量损失。

  高操作结温能力:该MOSFET能够在高温环境下工作,其操作结温范围达到-55℃至+175℃。

  快速而健壮的内置体二极管:这是该MOSFET的一个重要特点,能够快速且有效地处理反向电流。

  优化的塑料封装:采用TO-247-4塑料封装,具有优化的封装设计和分离的驱动源引脚(4-G),以及8mm的漏极和源极之间的爬电距离(creepage distance),确保了在高温和高湿等恶劣环境下的稳定性和可靠性。

  应用广泛:SD11721适用于多种应用,包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压DC/DC转换器以及开关模式电源等。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询太阳成tyc33455ccwww创展

推荐资讯

  • Princeton Microwave介电谐振器 频率3~40GHz
    Princeton Microwave介电谐振器 频率3~40GHz 2024-01-05 09:28:33

    介电谐振器振荡器由高介电常数材料制成,电磁场可以被限制并使其谐振。谐振频率由电介质矩形或圆盘的物理尺寸、材料的介电常数以及不同程度的支撑和容纳结构决定。机械调谐是通过使调谐螺钉更靠近介电谐振器来实现的,从而将TE模式的谐振频率修改为增加的值。谐振频率这种行为的原因在腔体扰动理论中得到了解释。也就是说,当空腔的金属壁向内移动时,如果存储的能量主要是电的,则谐振频率会降低。

  • TI 德州仪器低噪声精密运算放大器
    TI 德州仪器低噪声精密运算放大器 2021-05-17 17:09:08

    TI 德州仪器?提供了种类繁多的精密运算放大器,以满足汽车、工业、仪器仪表和航天应用的需要。我们的设备是用先进的技术制造的,可以实现?V电平偏置电压,nV电平漂移,超低噪声性能。

在线留言

在线留言