Renesas射频衰减器

发布时间：2022-05-09 16:53:13 浏览：1054

Renesas单片硅射频衰减器可提供各种各样数字或模拟控制。Renesas所有的射频衰减器具备高带宽、低插入损耗、高线性、高衰减精确度、低偏差等特性。射频衰减器的应用包括无线网络基础设施（基站和宽带基础设施）(CATV)）、微波无线电、通讯卫星和数据终端、通用型通信设备、测试和测量设备。

Renesas率先推出出选用Glitch-Free?数字步进衰减器(DSA)，优化软件界面、提高安全可靠性、避免毁坏功率放大器等昂贵的子部件，限制数据转换器输入超过额定范围。Renesas的创新型Glitch-Free?技术可以清除发送和/或接收路径中的衰减设置过冲(毛刺)，可以使最高有效位(MSB)过渡期间瞬时毛刺减少了95%。

另外，Renesas电压可变衰减器(VVA)为用户提供模拟控制，以满足需要更准确的衰减应用程序。这些与类似的竞争解决方案相比较VVA有近半的低插入损耗和高IP3性能指标，在电压控制范围内线性衰减(dB)。硅基RF半导体技术，Renesas的衰减器为源于GaA原有的半导体技术提供了强有力的替代方案。硅技术提供了更强的静电放电(ESD)保护，更好的温度敏感度等级(MSL)、硅技术长期性验证的更理想的热性能指标、更低的电流消耗和安全可靠性。

射频衰减器的目的是根据系统的需要调节无线电发送器或接收器信号链中的信号范围。通常采用数字衰减器(DSA)或模拟衰减器(VVA)调节衰减值。针对模拟衰减器或数字衰减器的选择，需要根据应用要求实现权衡。Renesas专业工程师可以帮助用户选择最适宜的设备。

深圳市太阳成tyc33455ccwww创展科技有限公司，优势代理分销Renesas产品线，部分系列常备现货。

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Product ID	Frequency Range (MHz)	Supply Voltage (V)	Lead Count (#)	Input IP3 (dBm)	Gain (dB)	Gain Resolution (dB)	Output Impedance
F1912	1 - 4000	3 - 5.25	20	63	-1.4	0.5	50
F1950	150 - 4000	3 - 5.25	24	65	-1.3	0.25	50
F1951	100 - 4000	3 - 5.25	24	68	-1.2	0.5	50
F1953	400 - 4000	2.7 - 3.3	20	63	-1.4	0.5	50
F1956	1 - 6000	3 - 5.25	32	64	-1.3	0.25	50
F1958	1 - 6000	3 - 5.5	24	63	-1.3	0.25	50
F1975	5 - 3000	3 - 5.25	20	64	-1.2	0.5	75
F1977	5 - 3000	3 - 5.25	32	64	-1.4	0.25	75
F1978	5 - 3000	3 - 5.25	20	64	-1.2	0.5	75
F2250	50 - 6000	3.15 - 5.25	16	65	-1.4		50
F2251	50 - 6000	3.15 - 5.25	16	67	-1.4		50
F2255	1 - 3000	3.15 - 5.25	16	60	-1.1		50
F2258	50 - 6000	3.15 - 5.25	16	65	-1.4		50
F2270	5 - 3000	3.15 - 5.25	16	62	-1.1		75

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