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  IRLML6401TRPBF：12V单通道P沟道功率MOSFET 2024-11-08 09:15:26

  IRLML6401TRPBF是一款由英飞凌科技推出的12V单P沟道功率MOSFET，采用SOT-23封装，专为低功耗和低频率应用设计，具备宽广的安全工作区域、行业标准认证、低频应用中的高性能等特点，适用于DC开关、负载开关等应用，技术规格包括最大漏极电流-4.3A、导通电阻最大50mΩ等，非常适合电源管理、电机控制和电池供电设备。

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  Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜条形MOS电容器 2024-10-22 08:57:02

  Vishay BRCP系列薄膜条形MOS电容器采用坚固MOS结构，具有低介电损耗和高Q值，支持多种线焊点，A型外壳最少7个焊点，B型外壳最少15个焊点，且负载寿命稳定性出色。其关键优势包括绝对容差低至±5%，温度系数低至±50ppm/°C。应用领域广泛，包括混合组装、滤波器、射频阻断、阻抗匹配和高频/高功率应用。电气规格涵盖电容范围5-100pF，工作温度-55至+150°C，最大工作电压100V。机械规格方面，芯片基板为硅，介质为二氧化硅，顶部覆盖层为至少1微米厚的金，外壳尺寸和焊盘数量符合特定要求。